科研实验专用氧化铪靶材HfO2靶材磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料

产品介绍

      氧化铪(HfO2)常温常压下为白色固体,熔点:2758℃,沸点:5400℃,密度:9.68g/cm3,难溶于水,常温常压下稳定,避免与酸接触;当加热到高温时铪与氧直接化合生成氧化铪;也可通过其硫酸盐或草酸盐经灼烧而得。用于光谱分析及催化剂体系,耐熔材料;是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料,近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注,由于它 可能替代目前硅基集成电路的核心器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO?),以解决目前MOSFET中传统SiO?/Si结构的发展的尺寸极限问题。

产品参数
中文名 二氧化铪        化学式 HfO2     沸点 5400℃
分子量 210.49           熔点 2758℃      密 度 9.68g/cm3
纯度 99.99%
支持合金靶材定制,请提供靶材产品的元素、比例(重量比或原子比)、规格,我们会尽快为您报价!! 
服务项目:靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款,质量保证,售后无忧!
产品附件:发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装
适用仪器:多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备 
质量控制:严格控制生产工艺,采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段,分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度;可提供质检报告。 
加工流程:熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库